Рассмотрены физические механизмы структурных превращений в слоях адсорбированных галогенов на поверхности металлов (Ag, Cu, Au) и полупроводников (Si, GaAs), и проведен анализ наблюдаемых в эксперименте двумерных фазовых переходов. Представлены экспериментальные результаты, полученные методом сканирующей туннельной микроскопии и спектроскопии в условиях сверхвысокого вакуума в широком диапазоне температур (5-300 К). Обсуждаются результаты взаимодействия галогенов с полярными гранями кремния и арсенида галлия. Сборник предназначен для научных сотрудников, инженеров, аспирантов и студентов, специализирующихся в области физики/химии поверхности и сверхвысоковакуумного аналитического оборудования.