В предлагаемой читателю книге рассмотрены многослойные магнитные наноструктуры, нашедшие широкое применение в считывающих головках жестких дисков и лежащие в основе перспективной магниторезистивной памяти. Показано, что в многослойной системе ферромагнетик-антиферромагнетик поведение магнитных параметров порядка в слоях нанометровой толщины во многом определяется фрустрациями, возникающими на границах раздела слоев. Предсказаны новые типы доменных стенок, порождаемых фрустрациями обменного взаимодействия. Построены фазовые диаграммы «толщина слоя (слоев)-шероховатость» тонкой пленки ферромагнетика на антиферромагнитной подложке и спин-вентильной системы ферромагнетик-антиферромагнетик-ферромагнетик с учетом энергии одноионной анизотропии. Обнаружено, что благоприятным для появления обменного сдвига в системе ферромагнетик-антиферромагнетик является наличие взаимно-перпендикулярных легких осей, лежащих в плоскости слоев. Кроме этого, либо должно существовать связанное состояние доменной стенки на границе раздела, либо должен иметь место пиннинг доменной стенки дефектами кристаллической решетки в антиферромагнетике вблизи границы с ферромагнетиком. Для научных работников и специалистов в области магнитоэлектроники и магнитных наноструктур.